Иногда в целях радикального упрощения этим приближением ограничиваются, как если бы изотропная ситуация была единственной возможной.

Скорость движения электрона в кристалле равна групповой скорости электронных волн и определяется как

Есть и другие подходы для вычисления эффективной массы электрона в кристалле^[5].

В случае переноса электронов и дырок через тонкий полупроводниковый или диэлектрический слой посредством туннельного эффекта эффективная масса в этом слое влияет на коэффициент прохождения (уменьшение массы влечёт увеличение коэффициента прохождения) и, следовательно, на ток.

Поведение плотности состояний электронов и дырок вблизи краёв зон аппроксимируется формулами

Понятие эффективной массы в физике твёрдого тела используется не только применительно к электронам и дыркам^[3]. Оно обобщается на другие квазичастицы (типы возбуждений), такие как фононы, фотоны или экситоны, с теми же формулами для расчёта (только подставляются законы дисперсии, соответственно, для фононов и так далее). Тем не менее, основным применением термина всё же является именно кинетика электронов и дырок в кристаллах.